EMI508NL国产SRAM兼容代替IS62WV51216

IS62WV51216是一个8M容量，位宽512Kx16的高速率低功耗SRAM芯片。采用高性能CMOS工艺制造。使用该芯片的片选引脚和输出使能引脚，可以简单实现存储器扩展。封装采用44TSOP2封装。
 
EMI伟凌创芯8Mbit国产低功耗SRAM芯片EMI508NL系列是一款可用于兼容代替IS62WV51216的国产SRAM芯片，其位宽512K*16,电源电压2.7V~3.6V，支持低数据保留电压1.5V，采用44TSOP2封装形式。伟凌创芯SRAM具有优异的高速度、低功耗和可靠性，是适用于各个领域的最为理想的存储器。代理商英尚微电子提供免费样品测试及相关技术支持。
 
特征
•工艺技术：90nm全CMOS
•组织：512Kx 16位
•电源电压：2.7V~3.6V
•低数据保持电压：1.5V（最小值）
•三态输出和TTL兼容
•数据字节控制（x8，x16模式）。
•标准44TSOP2,48FBGA包装。
•工业操作温度。
 
市场需要兼具快速和低功耗的SRAM存储器。除了常见的工作和待机运行模式之外，这些SRAM还有一个名为“深度睡眠”的低功耗模式。深度睡眠模式由一个输入信号控制，该信号可在断言后将设备置于深度睡眠模式。
 
 
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