如何选择非易失存储器？

    断电存储是单片机系统中非常常见的作用。非易失性存储器也有很多选择，如非易失性存储器EEPROM.FRAM.单片机内部Flash.SPI flash.eMMC.SD卡.NAND flash等.我司英尚微电子存储器供应商,专业提供各类存储器,闪存,并提供样品及相关技术支持服务.

    工程师必须根据项目的实际需要选择存储器，一般应考虑以下几个方面：

    1.容量
    容量是选择存储器时首先要了解的东西。一般来说，EEPROM和FRAM的容量比较小；

    二是单片机内部Flash，根据不同型号的单片机，它可以分配不同尺寸的容量，也在KB级别。一般来说，这种小  容量存储器只适合存储一些系统参数；

    然后是SPI Flash，一般容量在几MB到几十MB，可用于存储参数和少量数据；
最后是SD卡.eMMC.NAND Flash等大容量存储器，一般都在GB级别，可以存储大量的数据。
 
    2.读写速度

    最先讲讲eMMC.SD卡.NAND flash等大容量存储器。这种存储器通常与文件系统一起使用，其读写速度取决于接口类型（SPI.SDIO等）.一次性写入数据大小.存储器本身的速度等级限制。一般来说，平均速度会达到几百个KB~几MB/秒。

    其次是单片机内部Flash和SPI Flash。Flash特点是整个页面(扇区域或块)必须擦掉才能写入，扇区域的擦拭时间一般在几十ms。因此，Flash写入速度也会受到限制。但是在获取数据时没有这样的限制。

    再说一下EEPROM。IIC接口，接口速率可达4000K甚至1M。速率似乎还可以，但需要注意的是，跨页写作需要5ms等待。因此，一旦写入数据必须跨页，整体速率就会受到很大影响。

    如果需要更快的写入速度，只能选择FRAM，铁电存储器没有页面的概念，所以没有等待时间，与等待时间相比，与EEPROM相比。可以大大提高写入速度。

    3.擦写寿命
    正常情况下，flash存储器的擦写频率在1~10万次左右，单片机内部的flash擦写频率相对较小，如STM32可达1万次，部分单片机的flash擦写频率只有1000次，应用时一定要注意。

    如果需要频繁写入，考虑使用寿命，可能需要配合损坏平衡算法来实现。SD卡是内置的损坏平衡，而其他flash或eeprom则需要自己完成损坏平衡算法，或者使用带损坏平衡算法的文件系统。
 
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上一篇文章：EMI508NL国产SRAM兼容代替IS62WV51216

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