存算一体存储器件选择

    目前，实现存算一体有两种存储器件的选择有两种。
 
    第一种是基于易失性存储器，例如DRAM和SRAM，但由于DRAM制造工艺和逻辑计算单元的制造工艺不同，无法实现良好的片上融合，而SRAM难以进行片上大规模集成，同时，因为SRAM和DRAM是易失性存储器，需要持续供电来保存数据，仍存在功耗的问题。
 
    第二种是结合非易失性新型存储器。新型存储器通过阻值变化来存储数据，而存储器加载的电压等于电阻和电流的乘积，相当于每个单元可以实现一个乘法运算，再汇总相加便可以实现矩阵乘法。在这种情况下，同一单元就可以完成数据存储和计算，消除了数据访存带来的延迟和功耗，是真正意义上的存算一体。
 
    另外，传统存储器所具有的易失性、微缩性差等问题可以被新型非易失性存储器很好地解决。目前可用于存算一体的成熟存储器有NOR FLASH、SRAM、DRAM、RRAM、MRAM等。

本文关键词：SRAM,MRAM

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