铁电存储器FRAM

    铁电存储器是在1952年发明的。贝尔实验室随后于1955年构建了一个集成的256位FRAM阵列，作为一个没有有源半导体元件的单片器件，三年后，杰克·基尔比(JackKilby)拼凑起来并在德州仪器(TI)发明了第一个集成电路。20世纪80年代末，科罗拉多斯普林斯的一家名为Ramtron的公司完成了FRAM的早期商业化工作。
 
    FRAM的销量似乎比所有其他新兴内存类型的销量总和还多。富士通在其地铁票价卡RFID芯片中使用了FRAM，迄今为止已售出超过40亿颗此类芯片。
 
    FRAM利用某些晶格的独特物理特性。在这些铁电材料中，原子可以占据晶格内两个稳定位置之一。电场将晶格内的移动原子移动到两个稳定位置之一，具体取决于电场的极性和一些物理属性（可能是电容或电阻），具体取决于被捕获原子的位置。
 
    任何类型的40亿个芯片都是很多芯片，即使它被用作地铁票价代币，那么为什么FRAM经过这么长时间、在运送了所有这些数十亿个芯片之后仍然不为人知呢？半导体晶圆厂经理不太喜欢铁电材料，因为它们含有元素周期表元素，例如铅或铋，很容易污染晶圆厂。因此，FRAM作为非易失性嵌入式片上存储器的用途有限。相关报告也指出，氧化铪和氧化锆也可以通过配制来表现出铁电特性，而且这些材料已经因其他原因在晶圆厂中使用，因此FRAM的未来故事很可能会继续下去。


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