MCU推动新兴存储狂飙

    新兴NVM技术（MRAM、PCM和RRAM）在用于物联网、可穿戴设备和边缘AI设备的微控制器(MCU)和低功耗SoC/ASIC中的嵌入式代码/数据存储方面继续获得动力。小于28nm几何尺寸缺乏具有成本竞争力的eFlash解决方案是推动顶级代工厂和IDM积极投资在≤28nm的节点上集成嵌入NVM技术的主要原因。
 
    嵌入式新兴NVM晶圆产量具有蓬勃发展的潜力，从2023年的约3KWPM增长到2029年的约110KWPM(CAGR23-29~80%)。就收入而言，我们估计嵌入式市场到2029年可能达到约26亿美元，其中三种主要的eNVM技术具有类似的增长潜力。
 
    增长最快的细分市场是用于MCU的嵌入式NVM，预计到2029年将占嵌入式新兴NVM收入的80%以上。采用新兴eNVM的MCU晶圆数量将非常迅速增长，从2023年的不足1KWPM2029年达到47KWPM(CAGR23-29~124%)。

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