NAND闪存竞争愈演愈烈

    继以DRAM为代表的高带宽存储器（HBM）之后，人工智能（AI）存储器半导体领域的NAND闪存市场竞争愈演愈烈。
 
    三星电子和SK海力士正在加大力度提升NAND技术和产品的性能和容量，以应对不断增长的人工智能需求。于4月开始量产业界首个1太比特(Tb)三层单元(TLC)第9代V-NAND，彰显其领先技术。
 
    在激烈的分层竞争中，三星电子继主打产品236层第八代V-NAND之后，又推出了290层第九代V-NAND，占据了市场主动。
 
    第九代V-NAND采用新一代NAND闪存接口Toggle5.1，数据输入输出速度可达每秒3.2千兆位（Gbps），较第八代V-NAND提升33%。
 
    三星电子计划以其第9代V-NAND引领AISSD市场，旨在第二季度开发并提供超高容量64太字节(TB)SSD样品。
 
    在巩固了HBM领域领导地位后，SK海力士还显露出了引领NAND领域AI内存市场的雄心。
 
    SK海力士近期成功开发出用于设备内置AI移动NAND解决方案的“ZonedUFS4.0”（ZUFS4.0），将用于具备AI功能的智能手机。ZUFS4.0针对移动设备内置AI进行了优化，据称可提供业界最高的性能。与传统UFS相比，它在长期使用环境下可将智能手机上的应用启动时间缩短约45%，同时还将读写性能降低4倍，并将产品使用寿命延长约40%。
 
    SK海力士计划积极增加高性能16通道企业级SSD（eSSD）及其子公司Solidigm基于QLC的大容量eSSD的销售。SK海力士还将及时推出适用于AIPC的PCIe第五代消费级SSD（cSSD），并优化产品阵容以满足市场需求。
 
    AI让原本举步维艰的NAND市场重新焕发活力，AI服务器采购量的爆发式增长也带动了AI服务器所需的高性能、大容量SSD需求的大幅上涨。配备设备内置AI的个人电脑和智能手机的发布也推动了对NAND的需求。


本文关键词：NAND闪存

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