中国存储三大势力成形

        中国发展存储成三路进击，除了由武汉新芯与紫光合体组成的长江存储、联电相助的福建晋华集成，第三势力在兆易创新与前中芯CEO王宁国主导的合肥长鑫合作下也蠢蠢欲动。

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　　紫光集团先前欲并购美光、与 SK 海力士谈授权最后都无疾而终，最终与获得中国存储统筹资源的武汉新芯合并，进一步成立长江存储公司，由紫光董事长赵伟国兼任长江存储董事长，大基金总经理丁文武出任副董事长，并由原武汉新芯CEO杨士宁出任总经理负责 NAND Flash芯片，转战紫光的前华亚科董事长则任长江存储营运长重起炉灶筹备DRAM建厂。
 

　　武汉新芯存储基地已在 2016 年 3 月底动土，根据先前取得的消息，新的存储基地将分三期，总规划面积约 100 万平方米，一期于 8 月开工、预计 2018 年建设完成，月产能约 20 万片，而官方目标到 2020 年基地总产能达 30 万片/月、2030 年来到 100 万片/月。第一步已与 NOR 内存厂商飞索半导体（Spansion）签订技术授权，从 3D NAND Flash 下手，并预计 2017 有能力推出 32 层堆叠、2018 年推出 48 层堆叠 3D NAND Flash芯片。在 DRAM 进展上与美光洽谈技术授权还未有眉目，也有消息指出，高启全正招兵买马透过人脉挖角中国台湾地区 DRAM 相关人才，或为建厂做准备。

 

　　在 SDRAM 进展有较大突破的为福建后起势力，福建省政府在 5 月宣布，所投资的晋华集成与联电签订技术合作协定，由联电接受晋华委托开发 DRAM 相关制程技术，生产利基型 DRAM，团队由瑞晶、美光台湾前总经理、现任联电资深副总经理陈正坤领军，在 7 月 12 寸厂建厂奠基的同时，已在中国台湾地区的南科建立小型试产线，据了解初期将导入 32 纳米，但最终目标其实放在 25 纳米以下制程，以求与其他 DRAM 大厂不致有太大落差，初步产能规划每月 6 万片，估计 2017 年底完成技术开发，2018 年 9 月试产，并在 2019 年以前将产线移转至福建新厂。
 

　　而合肥欲起的 DRAM 势力在前尔必达社长坂本幸雄淡出合肥后，由中国本土 NOR Flash 厂商兆易创新（GigaDevice）与中芯国际前CEO王宁国所主导，目前兆易创新将与武岳峰等中国基金并购的美国 DRAM 厂 ISSI 合并，成为长江存储后，另一家 DRAM/NAND Flash 发展兼具的内存厂商。
 

　　除了三厂竞逐成为焦点，团队主导人也颇有渊源，主导合肥团队的王宁国与长江存储总经理杨士宁同样出身中芯国际，先前两派人马在中芯斗争多年甚至跃上新闻版面，如今再度碰头；而现任长江存储营运长的高启全与联电资深副总经理陈正坤，相继待过华亚科、美光体系，中国内存争战熟人相争就看谁能带领团队率先出线。

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