非易失性存储器存储器MRAM提供替代方案

    闪存目前最流行的非易失性存储器NVM，但一些应用程序开始采用其他类型的嵌入式NVM技术，因为嵌入式闪存无法超越28nm，也因为其成本、功耗和性能优势。
 
    非易失性存储器NVM包括ReRAM、PCM、MRAM和FRAM在内的存储器提供了替代方案。每种技术在成本、复杂性、功率和性能方面都有各自的优势和挑战。MRAM存储芯片供应商英尚微简单介绍关于MRAM。
 
    Everspin MRAM产品采用一个晶体管、一个磁性隧道结(MTJ)存储单元作为存储元件。MTJ由固定磁性层、薄电介质隧道势垒和自由磁性层组成。当向MTJ施加偏压时，被磁性层自旋极化的电子通过称为隧道效应的过程穿过电介质势垒。
 
    MRAM是一种利用电子自旋的磁性来提供非易失性而不会磨损的存储器。MRAM将信息存储在与硅电路集成的磁性材料中，在单个无限耐用的设备中提供SRAM的速度和闪存的非易失性。
 
    MRAM的数据虽然是以磁性状态进行存储，但其读取数据的方式是靠测量电阻来感知，对其磁性状态不会造成干扰。MRAM作为新型非挥发性存储器，在存取速度、次数和功耗上都较优越，但要投入市场应用，还需解决以下难题：写或擦除数据时的磁性干扰问题；复杂的磁性材料薄膜制备工艺，且其薄膜厚度不容易控制，影响器件的均匀性；与传统CMOS工艺的兼容方面，有待进一步地优化。

    我司英尚微电子提供代理MRAM、STT-MRAM、XSPI MRAM等存储芯片，支持样品和技术相关支持。提供的MRAM产品部署在数据中心、云存储、能源、工业、汽车和运输市场等。
 

本文关键词：MRAM

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