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Everspin Serial SRAM

2016-12-05 11:25:37

         Everspin MRAM是一种具有革命性的存储器,其原理是利用电子自旋的磁性结构,来提供不会产生损耗的非挥发特性。Everspin MRAM可在集成了硅电路的磁性材料中存储信息,以在单一、可无限使用的组件中提供SRAM的速度以及闪存的非挥发特性。Everspin是从飞思卡尔半导体公司分离出来的一家独立公司。2006年,Everspin推出业界第一款商业化MRAM产品。今日,Everspin MRAM已广泛用在数据存储、工业自动化、游戏、能源管理、通讯、运输、和航空电子领域。

 
 
Density Org. Part Number Pkg. Voltage Temp
4Mb 512Kx8 MR25H40CDC 8-DFN 3.3V -40℃to+85℃
4Mb 512Kx8 MR20H40CDF 8-DFN sf 3.3V -40℃ to +85℃
4Mb 512Kx8 MR25H40CDF 8-DFN sf 3.3V -40 ℃to +85℃
4Mb 512Kx8 MR25H40MDF 8-DFN sf 3.3V -40℃ to +125℃
1Mb 128Kx8 MR25H10CDC 8-DFN 3.3V -40℃ to +85℃
1Mb 128Kx8 MR25H10MDC 8-DFN 3.3V -40℃ to +125℃
1Mb 128Kx8 MR25H10CDF 8-DFN sf 3.3V -40℃ to +85℃
1Mb 128Kx8 MR25H10MDF 8-DFN sf 3.3V -40℃ to +125℃
256Kb 32Kx8 MR25H256CDC 8-DFN 3.3V -40℃ to +85℃
256Kb 32Kx8 MR25H256MDC 8-DFN 3.3V -40℃ to +125℃
256Kb 32Kx8 MR25H256CDF 8-DFN sf 3.3V -40℃ to +85℃
256Kb 32Kx8 MR25H256MDF 8-DFN sf 3.3V -40℃ to +125℃

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