Everspin首款Gbit MRAM芯片

Everspin宣布开始出样Gbit MRAM芯片，并预计在今年投产采用其256Mbit芯片的1-2Gb加速卡。在FMS大会上发布这项消息，象征着在一个聚焦于主流NAND市场成长的活动中，有越来越多的持久型内存开始出现显著进展。
 
Everspin希望新的产品可作为非挥发性缓冲器与编写快取，最终得以在固态硬盘(SSD)与闪存(flash)储存数组中找到取代DRAM的出路。该加速卡采用Everspin推出作为开放来源的特殊Windows和Linux驱动程序，提供每秒700万次I/O作业以及低至2微秒(us)延迟的性能。
 
至少有另外一家公司将为Everspin的加速卡提供第二个供应来源。该公司表示目前已经有一家客户采用了这款芯片，并计划让产品在一年之内投产。
 
首款采用3DXP内存的SSD正开始出货，使英特尔(Intel)率先在主流储存市场推出新型内存芯片。Western Digital (WD)承诺在2020年以前推出电阻式随机存取内存(RAM)，而在去年底，Spin Transfer Technologies (STT)表示将在明年出样Gbit级的产品，这让Everspin又多了一家MRAM竞争对手。
 
Everspin资深营销副总裁Patrick Patla指出：“将来，所有的记忆都将会是持久型的——时间可能是在5-7年后或更早，但预计具有最高容是的最高性能内存才胜出。” 20170821-MRAM-1Everspin基于MRAM技术的nvNitro加速卡 （来源：Everspin）
 
Everspin营销总监Joe O'Hare表示，每一种新的内存类型都可能让自己所处的市场位置改观，但截至目前为止，MRAM最接近DRAM的性能。“新的接口标准联盟将会巩固这样的市场机会，因为他们让你不必使用特定的持久型内存类型，以及处理其各自不同的延迟问题。”
 
虽然GenZ接口预计至少要两年后才可能商用化，但Everspin在FMS大会中先行展示针对该界面的原型加速卡。同时，它也将在IBM今年稍晚推出的Power9系统上支持其OpenCAPI。
 
Everspin的Gbit芯片采用DDR4接口，并以Globalfoundries的28nm工艺技术制造。该代工厂授权这项技术，为采用其22nm FD-SOI工艺的客户提供嵌入式MRAM选项，预计将自明年开始。
 
该加速卡采用40nm 256M芯片，搭载PCIe Gen 3总线，支持NVMe接口，并将在今年年底提供U.2或半高、半长规格的PCIe卡。 迄今为止，Everspin已经出货了7,000多万张加速卡了，主要用于各种企业储存、工业和其他市场的130nm嵌入式内存。

本文关键词：everspin

相关文章：​Everspin的MRAM技术
 

---

深圳市英尚微电子有限公司是一家专业的静态随机记忆体产品及方案提供商，十年来专业致力代理分销存储芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,为客人提供性价比更高的产品及方案。