MR4A16BCYS35一款16位的并口并行总线MRAM 非易失性芯片

Everspin MR4A16B 16Mb并行MRAM具有兼容SRAM的35ns读/写周期，并拥有出色耐久性。

MR4A16B由1,048,576字 x 16位构成。对于这款MRAM来说，数据保持期长达20年以上而不会丢失，并会在掉电时由低压抑制电路自动提供保护，以防止在非工作电压期间写入。
 
MR4A16B采用48引脚球栅阵列 (BGA) 小型封装和54引脚微小外形封装 (TSOPII)。
 
这款器件能够在商业级（0至+70 °C）、工业级（-40至+85 °C）与扩展级（-40至+105 °C）温度范围内工作，并在整个温度范围内保持高度可靠的数据存储能力。
 

本文关键词：并行MRAM

相关文章：everspin并行MRAM芯片
 

---

深圳市英尚微电子有限公司是一家专业的静态随机记忆体产品及方案提供商，十年来专业致力代理分销存储芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,为客人提供性价比更高的产品及方案。