Eversipn STT-MRAM的MJT细胞

业界一直在寻求取代SRAM。其中之一包括自旋转移力矩MRAM（STT-MRAM）。新的存储器带来了一些大胆的主张。例如STT-MRAM具有SRAM的速度和闪存的无波动性，具有无限的耐用性。
   
Everspin已经为SSD提供SST-MRAM设备。此外一些芯片制造商正专注于嵌入式STT-MRAM，它分为两个市场，嵌入式闪存替代和缓存。
 
STT-MRAM是具有磁隧道结（MTJ）存储器单元的单晶体管架构。它利用电子自旋的磁性在芯片中提供非挥发性特性。写入和读取功能在MTJ单元中共享相同的并行路径。
 
为此STT-MRAM正准备取代嵌入式NOR闪存芯片。此外，STT-MRAM旨在取代SRAM，至少用于L3缓存。STT-MRAM正在不断发展，以更密集地嵌入到SoC中，其更小的单元尺寸，更低的待机功率要求和非易失性提供了一个引人注目的价值主张，针对用作通用板载存储器和最后级别的大得多且易变的SRAM缓存。
 
但STT-MRAM的速度还不足以取代SRAM用于L1和/或L2缓存，还包括稳定性。我们相信STT-MRAM，访问时间将在5ns到10ns之间饱和。当你进入L1和L2缓存时，我们相信你需要去SOT-MRAM。
 
类似于STT-MRAM，SOT-MRAM仍处于研发阶段。不同之处在于SOT-MRAM在器件下集成了SOT层。根据Imec，它通过在相邻的SOT层中注入面内电流来引起层的切换。
 
当你切换STT-MRAM，需要通过MTJ推动当前，在内存主任IMEC。在SOT-MRAM中，你有两条路径，一条用于写入，另一条用于读取。读取就像STT。你通读了MTJ。写不是通过MTJ。这是一个很大的好处，因为您可以循环设备并对其进行优化以延长使用寿命。第二大优势是速度。我司Everspin代理不同容量的MRAM存储芯片.
 

本文关键词：Everspin代理 

相关文章：​Xilinx FPGA控制器的Everspin STT-DDR4设计指南

深圳市英尚微电子有限公司是一家专业的静态随机记忆体产品及方案提供商，十年来专业致力代理分销存储芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,为客人提供性价比更高的产品及方案。
英尚微电子中国区指定的授权代理：VTI、NETSOL、JSC济州半导体(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC； 著名半导体品牌的专业分销商  如：RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。