太空应用中多功能性工业级Everspin 4Mbit MRAM

Everspin的合作伙伴CAES他们共同开发的Toggle MRAM在太空应用中的多功能性和性能。CAES是太空存储器市场的翘楚，并基于Everspin的技术交付生产级，符合太空要求的磁阻随机存取存储器（MRAM），为太空工业提供辐射硬化，高度可靠的非易失性不受单事件翻转（SEU），低压单事件闩锁（SEL）和单事件门破裂（SEGR）影响的存储器。该产品还在-40°C至+ 105°C的温度范围内提供无限的耐用性和超过20年的使用寿命。

 
Everspin 4 Mbit MRAM（磁性随机存取存储器）芯片由Everspin Technologies和IMU（惯性测量单元）芯片组成。新兴的MRAM技术结合了磁性材料和硅集成电路，形成了快速，可靠的非易失性RAM（NVRAM）。MRAM结合了具有扩展的温度操作，无限的耐久性和长久性的非易失性存储器。数据保留，即使断电也是如此。 Everspin的4Mbit MRAM器件取代了闪存和电池供电的SRAM。


由于MRAM耐辐射。为坚固的系统设计提供高温数据存储和访问以及高可靠性。在空间中对MRAM进行重新编程的能力允许对系统进行重新配置，而对耐久性，负载均衡或ECC开销没有任何限制。所以MRAM是非常适合使用于航空航天应用中。 



工业级Everspin 4Mbit MRAM

Density	Org.	Part Number	Pkg.	Voltage	Temp	MOQ(pcs)/ T&R
4Mb	256Kx16	MR2A16AYS35	44-TSOP	3.3V	Commercial	1,500
4Mb	256Kx16	MR2A16ACYS35	44-TSOP	3.3V	Industrial	1,500
4Mb	256Kx16	MR2A16AVYS35	44-TSOP2	3.3V	Extended	1,500
4Mb	256Kx16	MR2A16AMYS35	44-TSOP2	3.3V	AEC-Q100 Grade 1	1,500
4Mb	256Kx16	MR2A16AMA35	48-BGA	3.3V	Commercial	2,000
4Mb	256Kx16	MR2A16ACMA35	48-BGA	3.3V	Industrial	2,000
4Mb	256Kx16	MR2A16AVMA35	48-BGA	3.3V	Extended	2,000
4Mb	512Kx8	MR2A08AYS35	44-TSOP	3.3V	Commercial	270
4Mb	512Kx8	MR2A08ACYS35	44-TSOP	3.3V	Industrial	270
4Mb	512Kx8	MR2A08AMYS35	44-TSOP	3.3V	AEC-Q100 Grade 1	270
4Mb	512Kx8	MR2A08AMA35	48-BGA	3.3V	Commercial	696
4Mb	512Kx8	MR2A08ACMA35	48-BGA	3.3V	Industrial	696
4Mb	256Kx16	MR2A16AVYS35R	44-TSOP2	3.3v	Extended	1500
4Mb	256Kx16	MR2A16AVMA35R	48-BGA	3.3v	Extended	2000
4Mb	256Kx16	MR2A16ACMA35R	48-BGA	3.3v	Industrial	1500
4Mb	256Kx16	MR2A16ACYS35R	44-TSOP2	3.3v	Industrial	2000
4Mb	256Kx16	MR2A16AYS35R	44-TSOP2	3.3v	Commercial	1500
4Mb	256Kx16	MR2A16AMA35R	48-BGA	3.3v	Commercial	2000
4Mb	512Kx8	MR2A08AMYS35R	44-TSOP2	3.3v	AEC-Q100 Grade 1	270
4Mb	512Kx8	MR2A08ACYS35R	44-TSOP2	3.3v	Industrial	270
4Mb	512Kx8	MR2A08ACMA35R	48-BGA	3.3v	Industrial	696
4Mb	512Kx8	MR2A08AYS35R	44-TSOP2	3.3v	Commercial	270
4Mb	512Kx8	MR2A08AMA35R	48-BGA	3.3v	Commercial	696
4Mb	256Kx16	MR2A16AMYS35R	44-TSOP2	3.3v	AEC-Q100 Grade 1	1500

 
 

本文关键词： MRAM

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