STT-RAM取代DRAM内存

自旋转移扭矩随机存取存储器（STT-RAM）技术希望用其下一代MRAM取代DRAM，最终取代NAND。它结合了DRAM的成本优势，SRAM的快速读写性能以及闪存的非易失性。据说STT-RAM还解决了第一代现场交换MRAM的主要缺点。

STT-RAM作为通用的可扩展存储器具有巨大的潜在市场。它可以取代嵌入式SRAM和45nm的闪存，32nm的DRAM，并最终取代NAND。STT-RAM是一项很有前途的技术，从经济角度考虑，STT-RAM将取代DRAM还是NAND。

多年来，FeRAM，MRAM，相变，RRAM和其他技术的开发人员分别声称，它们将成为最终的通用存储器，并取代当今的存储器。但是许多下一代存储器类型推向市场的时间很晚，还没有达到高潮。并且今天的存储器继续扩展，从而消除了对下一代存储器类型的需求。

任何这些新技术（例如–FRAM，MRAM和PCM）都有很多机会来替代现有技术。他们所要做的就是降低成本，使其低于已建立的内存。听起来很简单，但实际上却非常困难，这一挑战使这些技术中的任何一种都无法达到临界质量。

MRAM是一种利用电子自旋的磁性来提供非易失性的存储器。该技术具有无限的耐用性。STT-RAM是第二代磁性RAM技术，可以解决常规MRAM结构带来的一些问题。现在正在开发的大多数MRAM都是通过施加由流过隧道磁阻（TMR）元件附近的导线的电流产生的磁场来改变磁化强度来写入数据的。这可以实现快速操作。

飞思卡尔半导体公司的子公司Everspin将其16 Mbit MRAM定位为SRAM替换，数据保留和相关市场。在工业及相关的嵌入式应用中，Everspin希望取代电池供电的SRAM或相关的分立解决方案，此举威胁着赛普拉斯，ISSI，Maxim，意法半导体，TI等公司。

STT方法使用自旋极化电流来切换磁性位，这项技术消耗更少的功率并增强了可伸缩性。STT-RAM通过对齐流经TMR元件的电子的自旋方向来写入数据。


本文关键词： MRAM   STT-RAM

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