NOR Flash和NAND Flash的定义区别

         存储芯片本身就是包括SRAM,MRAM,PSRAM,SPI SRAM等内存种类，其中NOR FLASH和NAND FLASH是现在内存市场上两种主要的非易失闪存技术。1988年最初开发出NOR flash技术是Intel，NOR FLASH的出现完全打破了原先由EPROM和EEPROM垄断局势。

1989年，东芝公司公布了NAND flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，而且可以像磁盘一样通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后，还是有相当一部分的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。

例如"flash存储器"经常可以与相"NOR存储器"交换使用。许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的杰出之处，因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码，

这种情况下NOR闪存更适合一些。而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。
 

　　NOR FLASH是现在市场上主要的非易失闪存技术。

                               


NOR FLASH一般只用来存储少量的代码;NOR FLASH主要应用在代码存储介质中。NOR FLASH的特点是应用简单、传输效率高、不需要专门的接口电路，它是属于芯片内执行(XIP, eXecute In Place)，这样应用程序可以直接在(NOR型)flash闪存内运行，不需要再把代码读到系统RAM中。


在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。NOR flash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，能够快速地存取其内部的每一个字节。NOR flash占据了容量为1～16MB闪存市场的大部分。

 

　　NAND结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于flash的管理和需要特殊的系统接口。

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