可替代闪存的存储新技术（二）
2017-08-04 16:58:44
从应用角度看，PRAM可用于所有存储器，特别适用于计算机、消费电子、通信三合一电子设备的存储器系统。常用相变材料晶态电阻率和结晶温度低、热稳定性差，需要通过掺杂来改善性能。
目前，人们也在寻找性能更加优良的相变材料，以最大限度地发挥PRAM的优越性。
FRAM是一种随机存取存储器技术，已成为存储器家族中最有发展潜力的新成员之一。它使用一层有铁电性的材料取代原有的介电质，使得它也拥有像EEPROM一样的非易失性内存的优势，在没有电源的情况下可以保存数据，用于数据存储。FRAM具有高速、高密度、低功耗和抗辐射等优点。
作为非易失性存储器，FRAM具有接近SRAM和DRAM等传统易失性存储器级别的高速写入速度，读写周期只有传统非易失性存储器的数万分之一，但读写耐久性却是后者的1000万倍，达到了10万亿次，可实现高频繁的数据纪录。
目前，厂商正在研究如何解决由阵列尺寸限制带来的FRAM成品率问题，进一步提高存储密度和可靠性。现在，FRAM技术研发的主要方向是130nm工艺的64Mb存储器。如今，富士通半导体集团把控着FRAM的整个生产程序，在日本有芯片开发和量产及组装设施。
与传统存储技术相比，新一代存储具有独特的优势与特点。以FRAM为例，以“多、快、省”的特点在业界别具一格，能够解决应用瓶颈，促进产品创新。
“多”是指FRAM的高读写耐久性(10万亿次)的特点，可以频繁记录操作历史和系统状态;“快”是指高速烧写特性，可以帮助系统设计者解决突然断电丢失数据的问题;“省”是指FRAM超低功耗的特性，特别是写入时无需升压。
将照相机实拍的一张照片分别存储到EEPROM和FRAM中，直观比较图像数据写入过程中EEPROM和FRAM的性能差异。可以发现使用并口传输数据，FRAM存储数据用了约0.19秒，而EEPROM用了约6.23秒;FRAM存储数据的比特率约为808kB/s，而EEPROM存储数据的比特率约为24kB/s;功耗方面，FRAM约为0.4mW，而EEPROM约为61.7mW。FRAM的快速读写和超低功耗特性不言而喻。
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