SRAM将会消失？

经过几十年的发展和进步，电子产业差不多形成了一个线性系统，并被摩尔定律(Moore's Law)所支配。然而随着摩尔定律渐渐地出现松动的情况，许多新技术逐渐开始浮上台面。这些技术并不是单纯的技术改进，而是全面的变革。电子产业可借机利用这些新技术转型成为非线性系统，推翻多年来电子产业所设立的宗旨。

       
Semiconductor Engineering网站报导指出，存储器技术近年的高速发展，可能会因此改变存储器与处理技术在早在1940年代便已确立的关系。连续存储器配置的效率尽管在这些年里不断受到挑战和质疑，但系统的惰性使得这种配置得以维持不变几十年。

     
即使在对称多处理系统中，存储器的配置大部分还是连续空间，资料从存储器到达处理器的途中，时常会卡在资料汇流排的位置，这是因为存储器与处理元件距离相距太远。实际上，目前架构中处理与存储器的速度与功率分布差距越来越大，并影响了芯片外的资料传输速度。

     
于是Rambus利用DDR介面的类比结构将存储器与逻辑连结，加速资讯传送并将消息转换回逻辑，不过这必须建立在存储器与逻辑为两个独立单位的前提下。只要将存储器放在逻辑之上，就能用几百万条线路连接存储器与逻辑，改变整个原有的架构。

       
垂直化的芯片结构越来越受到瞩目。传统芯片间中介层(inter-chip interposer)、打线的堆叠，以及矽穿孔(Through Silicon Via；TSV)连接，已逐渐成为主流。各种MEMS、RF、存储器、逻辑等技术，也能用更具成本效益的方式整合。

         
但是3D存储器不仅仅是芯片堆叠。3D存储器架构还能一起处理多层资料。三星电子(Samsung Electronics)与东芝(Toshiba)便一路快速地从24层存储器发展到48层。然而这并不能说明矽穿孔完全失去了价值。矽穿孔仍能有效减少I/O功率，提供更高的存储器密度。

       
3D堆叠架构难免会产生功率与热能的疑虑，还好存储器并没有太高的功率需求，只有在读写时才会消耗电力。

SRAM与DRAM好久前便终止了微缩的发展，ReRAM、自旋(spin torque)、相变(phase change、交叉点(cross point)等新的存储器技术纷繁呈现。这些新技术的共同点，便是材料科学与物理学上的突破。

       
但是存储器与处理器间的沟通延迟的难题，已困扰电子产业30多年，并非上述新技术能够彻底解决，最多只缩短中间的差距。

       
此外，存储器技术与电晶体脱勾后，便可成为后段制程(BEOL)存储器，编码与感应放大器都可置于存储器阵列下，与SRAM相比能省下不少空间。未来的系统单芯片(SoC)，可能不再需要使用SRAM。     

本文关键词：SRAM  DRAM   存储器          相关文章：可替代闪存的存储新技术（二）

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