南亚科10nm DRAM提上日程
2017-08-07 15:29:56
近日DRAM厂南亚科举行了总部落成典礼，总经理李培瑛在典礼上透露，新厂即将开始生产20纳米DRAM，这同时也在为南亚科10纳米打下坚实研发基础。李培瑛会后指出，南亚科针对10纳米已有研发计划，有两套方案正在进行中，一套是自主研发，另一个则是取得美光技术授权，生产制程技术持续往先进方向发展。李培瑛认为，南亚科同时进行两个方案，持续往先进制程发展，也才能让南亚科技旭永续经营。
李培瑛表示，南亚科新营运总部，对于南亚科来说是标志制程正式进入20 纳米，南亚科将可为客户提供一系列20 纳米制程产品，除现在的LPDDR4，未来也将进入DDR5 与DDR6。新总部启用后，将原本分散在3 个地方的厂区集中一起，而新厂扩建的无尘室厂房，将是未来20 纳米与10 纳米的生产基地。
未来每年创造200亿新产值
总经理李培瑛指出，新厂与设备总投资金额为557亿元，新的20纳米工艺，加上原有的30纳米制程，总投片量将达6.8万片，未来每年将可为南亚科创造200亿元产值。
李培瑛表示，此次投产的20 纳米晶圆厂FAB 3AN，包含厂房与设备投资总金额达557 亿元，加上另一栋3A 厂房，总投资金额为1800 亿元。
南亚科新厂位在新北市泰山南林园区新设总部及厂房，更遵循台湾绿建筑评估系统EEWH 规划兴建，采用低污染、可循环利用的建筑材料，并使用各类节能设计，包含绿化量、空调节能、照明节能、二氧化碳减量指标等，水资源与基地保水指标优于法规设计，展现绿建筑设计原则。
本文关键词：10nm
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