如何实现异步SRAM中速度与功耗的平衡（三）

　　
下表针对快速SRAM、低功耗SRAM以及支持深度睡眠工作模式的快速SRAM进行了各种参数对比：

　　


这些数字清楚地说明了与使用标准快速SRAM对比，应用“带深度睡眠模式”的SRAM的优势。在SRAM大部分时间都处于待机状态的应用中，这种优势会更加明显。

　　

举个例子：某器件工作运转了一千个小时，SRAM的工作时间只占其中的20%.如果该SRAM是一款工作电压为3.3V的快速SRAM，那它的工作功耗就是120瓦时(WH)，待机功耗为80 WH.总功耗将为200 WH.现在，如果我们使用具有深度睡眠模式的快速SRAM，工作功耗依然是120 WH，但待机功耗则锐减至0.06 WH.总功耗大约为121 WH.因此在该具体应用中，深度睡眠选项可将功耗降低40%.然而在使用深度睡眠模式时(无论是MCU还是SRAM)，需要考虑的一个因数是进入和退出深度睡眠模式所需的时间。如果这两个工作周期的时间间隔比SRAM进入和退出深度睡眠模式所用的时间还短，那该方法就不适合。

　　
至今为止，唯一推出支持片上电源管理的SRAM的公司是赛普拉斯半导体公司，该产品为PowerSnoozeTM.PowerSnooze SRAM采用54-TSOP和48-BGA等标准封装，与普通快速SRAM一样。为了使用深度睡眠功能，该产品还提供了一个特殊引脚(DS)，可将低电平有效切换至进入深度睡眠模式。标准快速SRAM上的同等引脚恰恰是无连接(NC)。因此只需极少的设计工作(只需连接一个额外的引脚)，便可将标准快速SRAM升级为PowerSnooze SRAM.

 

本文关键词：异步SRAM  MCU  低功耗    快速SRAM
   
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