半导体巨头大力发展eMRAM存储器

   
全球半导体巨头都在为下一代新型存储器市场进行剧烈竞争，这也许会全面改变半导体市场的发展前景，并成为未来半导体代工的首要业务之一。

   
虽然磁变存储器（MRAM）在先前的技术节点展现了非挥发性、高可靠性以及可制造性，磁变存储器以长远的目光看来未来会是较受欢迎的技术。但在微缩至2xnm节点以及相容嵌入式存储器的后段制程（BEOL）温度时开始面临挑战。

   
阻变存储器（RRAM）和磁变存储器（MRAM）具备相似的功能，二者都是后段校准的存储器，因此可以更易于实施在逻辑制程中。RRAM的堆叠更简单，因为在电极之间所需的材料较少。而且它并不需要像MRAM一样的设备投资。

   
虽然阻变存储器和相变存储器等其他类型的存储器也都有其支持者，但这些存储器都存在着微缩的问题，难以达到28nmCMOS制程的要求。

   
三星电子正大力发展MRAM存储器，而另一个半导体巨头英特尔则是强攻含3DXPoint技术的PRAM型存储器。台积电现在已具备量产MRAM及阻变存储器（RRAM）等新型存储器的技术和能力。

   
嵌入式存储器在半导体芯片中的作用十分重要，它为整个芯片提供的可互用特性决定了整个芯片的效率、速度和性能。唯有可靠的设计方法，才能设计出优良的存储器。

 
目前三星电子正大力发展eMRAM存储器，三星的28nmFD-SOI（FullyDepletedSilicononInsulator）制程有eMRAM的选项，其中eMRAM的风险生产为2018年；而18nm的FD-SOI制程的风险生产将始于2020年，也有eMRAM的选项。欧洲最大半导体厂商-恩智浦半导体已经决定采用三星电子的eMRAM存储器，以应用在相关的物联网装置之上。

   
台积电发布在2018年下半年于28nm制程中生产eMRAM。而GlobalFoundries也发布，计划在2017年于22nmFD-SOI制程上提供eMRAM，2018年进入量产。

  

本文关键词：存储器  MRAM   eMRAM

相关文章：非易失存储器迎来好机遇

---

　

深圳市英尚微电子有限公司，十年来专业致力代理分销存储器芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,为客人提供性价比更高的产品及方案。