MRAM有望成为未来主流内存产品
2017-08-15 16:09:03
Everspin在近期宣布即将开始尝试打造1Gb (128MB)的ST-MRAM芯片，除此之外他们已经将这款高寿命、非易失性的内存芯片生产提上议程。目前，Everspin正在闪存峰会(Flash Memory Summit)展示他们的1Gb ST-MRAM。
早在20多年前，因为MRAM不易挥发的特点，MRAM就被业界视为可替代NAND闪存的潜在高性能产品。但是，从目前产品容量的角度看来，该技术暂时无法参与市场竞争。
MRAM与快闪记忆体不同，它使用了磁性材料与常规硅电路相结合记录方式，在性能上MRAM具有与SRAM相似的高速读写能力，以及Flash不挥发性的特性，在Cell面积上也和DRAM比例相近，而重复读写次数和SRAM、DRAM相同，操作电压也近似，可说是集各种记忆体优点于一体的产品。它的主要竞争对手是快闪记忆体，目前一些公司如东芝、三星、Intel正在不停开发更快更高容量的闪存式存储装置。
MRAM的最大优势在于其性能以及低功耗。在未来，内存技术有望能够超越闪存甚至是DRAM，达到SRAM的水平。MRAM只要得到与闪存和DRAM一样多的投资力度以及存在同样大的市场需求，MRAM也许会成为未来主流内存产品。
来自飞思卡尔的技术支持
大约在十年前，飞思卡尔半导体宣布该公司将与多家创投公司集资成立一间以磁性随机存取存储器(MRAM)为主要产品的独立新公司——EverSpin Technologies，致力于提供并扩充现有的独立MRAM产品线及相关磁性产品。
MRAM将磁性材质与传统硅晶线路结合在单一的永久耐用元件当中，不但具有SRAM的速度，也具备快闪存储器的非挥发性。MRAM元件的设计将非挥发性存储器及RAM的优势合而为一，让新型的智慧型电子装置能拥有“立即开启”及防备断电的功能。
本文关键词：
MRAM ST-MRAM
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