最新一代存储器eMRAM即将量产

存储器占整个半导体市场规模超20%，地位十分重要。由于标准型内存 DRAM、NAND Flash 等微缩工艺已接近极限，许多半导体巨头如英特尔、三星电子、台积电等都在致力于发展下一代新型存储器。

 

下一代新型存储器除了eMRAM以外，还有嵌入式电阻RAM（eRRAM）、相变存储器（PCM）、碳纳米管（CNT）和铁电场效电晶体（FeFET）等。其中eMRAM 速度最快，应用前景也被看好，但由于采用了大量的新材料、新结构，量产难度极大。

 

eMRAM是一种极具应用潜力的下一代新型存储器，它最大的优势在于结合了非易失性与无限使用寿命。相比目前的DRAM或者SRAM，包括它的高数据密度、高可制造性、高速度、非易失性和耐久性等，与DRAM和SRAM相比优势还是非常明显的。

 

全球半导体各大巨头正在下一代新型存储器市场展开强力竞争，这很可能全面改变半导体市场的发展前景，并成为未来半导体代工的主要业务之一。目前三星电子正大力发展eMRAM记忆体，三星的28nm FD-SOI（Fully Depleted Silicon on Insulator）制程有eMRAM 的选项，其中eMRAM的风险生产为2018年；而18nm的FD-SOI制程的风险生产将始于2020年，也有eMRAM的选项。欧洲最大半导体厂商-恩智浦半导体已经决定使用三星电子的eMRAM记忆体，以应用在相关的物联网装置之上。台积电发布在2018年下半年于28nm制程中生产eMRAM。而GlobalFoundries也发布，计划在2017年于22nm FD-SOI制程上提供eMRAM，2018年进入量产。

本文关键词：eMRAM  DRAM   
 
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