新型存储器面临的挑战

FRAM的读写速度主要取决于铁电材料的极化反转特性，根据目前理论极化反转速度可达到皮秒量级。

MRAM利用磁性存储数据，容量成本低，具有高速存取、低功耗、无限次读写、抗辐射能力强等优点，在航空航天、军事、移动通讯等领域的应用有很大优势。

PRAM被认为是FLASH和DRAM的替代者，读写速度是普通闪存的30倍，同时其擦写寿命也是闪存的10倍。PRAM的最大优点是高效能和低耗电。

RRAM具有与CMOS低功耗、工艺兼容性好、易于随先进工艺微缩等优点受到广泛关注。

 

 

FRAM目前作为新型存储器的主要问题是铁电薄膜材料。未来发展需要解决的主要难题：一是采用3D结构缩小单元面积提高集成度；二是提高铁电薄膜特性。

RRAM还是一项走在前沿的研究课题，现在还主要停留在实验室阶段。未来材料的寻找仍然是RRAM面临的主要问题。

而台积电未来选择先生产的MRAM和PRAM也会遇到不小的挑战。MRAM的主要问题在于其高昂的制造成本。其次MRAM依靠磁性存储材料，磁场会对周围的芯片产生怎样的影响需要谨慎思考。

PRAM目前最大的问题是成本和容量。目前PRAM的单位容量成本还是比NAND高不少。发热对于PRAM来说是个大问题，由于PRAM需要加热电阻式材料发生相变，随着工艺越来越先进，单元变得越来越精细，对于加热元件的控制要求也将越来越高，那发热带来的影响也将加大。发热和耗电将会制约PRAM的进一步发展。

 

嵌入式存储器具有大容量集成的优势，是SOC的重要组成部分，具有重要的创新性和实用性。何种嵌入式存储器将取得最终的成功，

取决于多方面的因素：能否与标准CMOS工艺兼容，在不断增加复杂性的工艺步骤的基础上，实现大容量的片上集成，从而提高其性价比;能否随着工艺的发展缩小尺寸，解决超深亚微米工艺的延续性和扩展性问题，这是所有采用电容结构存储信息的存储器面对的共同挑战;能否满足片上其他高速逻辑的带宽需要，构成带宽均衡、稳定简洁的集成系统;准确的市场定位，保持量产。

总而言之每项技术的发展都有其机会与挑战。而无惧挑战勇于创新的企业最终将赢得市场。

本文关键词：嵌入式存储器   MRAM  FRAM

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