MRAM耐擦写周期试验
2017-09-15 14:28:36
MRAM MR2A16A位耐擦写周期研究的目的是确定MRAM位元是否具有耐擦写限制。该研究试验还包括通过存储器的重复使用是否对软误差率(SER)具有负面影响。写周期试验是在高温系统中进行的，许多单元可以同时运行。功能测试和软误差率数据的收集在ATE上完成。
该设备在4MHz(250ns)和90℃条件下运行。MR2A16A的最高频率是28.5MHz(35ns)。商用产品的最高环境温度要求是70℃。经计算，如果将4MHz上运行的器件的工作频率增加到28.5MHz，MR2A16A结温将升高20℃。因此，尽管最高温度要求是70℃，而实际上却在90℃温度下进行该项研究。
写周期、功能测试和SER数据收集都是在最坏额定电压和温度工作条件下进行的。此时，研究结果显示，试验单元经过58万亿次擦写周期而没有出现任何故障。目前研究还在继续进行，目的是为了验证所获取的MR2A16A 1T1MTJ位单元写周期数据的普遍性。
本文关键词：
MRAM
相关文章：
MRAM的发展前景
深圳市英尚微电子有限公司，十年来专业致力代理分销存储器芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,为客人提供性价比更高的产品及方案。
了解更多关于存储芯片知识，请关注英尚微电子：https://www.sramsun.com
