MRAM的杰出之处

　　
继几家代工厂公开宣布计划在2017年年底和2018年之前投产磁阻式随机存取存储器(Magnetoresistive Random Access Memory；MRAM)后，最近一家代工厂展示了如何通过MRAM为嵌入式应用大幅提升数据保存的能力。

　　
最近在日本举行的“2017年国际超大集成电路(VLSI)技术、系统和应用研讨会”(VLSI-TSA)上，Globalfoundries在发表研究论文时讨论了Everspin Technologies随嵌入式MRAM (eMRAM)转向22nm制程节点的进展。

　　
Globalfoundries嵌入式存储器副总裁Dave Eggleston表示，文中强调的重点突破是eMRAM可在摄氏260度下经由回流焊保存数据、持续十多年维持摄氏125度，以及在摄氏125度具有卓越读/写耐用性的能力。这将使eMRAM能够用于通用微控制器(MCU)和汽车SoC。他说：“磁性层一直缺乏热稳定度。因此，如果数据保存的问题得以解决，就能开启更广泛的市场。”

　　
Eggleston表示，虽然MRAM在先前的技术节点展现了非挥发性、高可靠性以及可制造性，但在微缩至2x nm节点以及相容嵌入式存储器的后段制程(BEOL)温度时开始面临挑战。如文中所述，磁穿隧接面(magnetic tunnel junction；MTJ)堆叠和整合可在摄氏400度、60分钟的MTJ图案化热预算时最佳化，并相容于CMOS BEOL制程。

　　
Eggleston表示，三家主要的代工厂都推出了采用该技术的产品，客户并选择了Globalfoundries的制程开发套件(PDK)进行设计。主要的晶圆设备制造商从几年前开始投入这个领域，因为他们认为它具有充份的商业潜力，因此该工具可用于MTJ的沉积与蚀刻。Eggleston说：“他们已经与像我们这样的大型晶圆厂以及像Everspin等小型公司联手，共同投资与开发产品。”

　　
同时，MCU客户开始专注地研究如何利用MRAM强化其架构。Eggleston说：“他们实现了更快的写入速度，也具有更高的耐用性。”这让他们能在以往可能使用静态随机存取存储器(SRAM)的应用开始使用嵌入式MRAM。他指出，以电路的简单性和制造成本来看，2x nm节点正是该技术的甜蜜点。

　　
Globalfoundries的MTJ堆叠和整合已在摄氏400度、60分钟MTJ图案化热预算时最佳化，并相容于CMOS BEOL制程。

本文关键词：SRAM   MCU  MRAM   Everspin

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