MRAM的应用

　　
嵌入式快闪存储器(eFlash)一直是目前大众普遍使用的嵌入式存储器，但因应市场需求存在多种新兴的存储器选择。除了eMRAM以外，还有嵌入式电阻RAM(eRRAM)、相变存储器(PCM)、碳纳米管(CNT)和铁电场效电晶体(FeFET)等。Eggleston指出，无论是哪一种选择，都必须在数据保存、效率与速度方面权衡选择。CNT和FeFET都展现出了巨大的发展潜力，但目前还不够成熟，而PCM则适用于特定应用，而无法广泛用于嵌入式应用。

　　
Eggleston说：“MRAM和RRAM具有类似的功能，二者都是后段校准的存储器，因而能更易于落实于逻辑制程中。”可用的制程技术包括需要大型芯片、FD-SOI或FinFET的制程。他并表示，eFlash可内建于芯片之中，但如果要建置于各种不同的技术中将更具挑战性。

　　
Eggleston说，RRAM的堆叠更简单，因为在电极之间所需的材料较少。他说：“而且它并不需要像MRAM一样的设备投资。MRAM由于堆叠较复杂，确实需要一些资本设备投资。”然而，他指出，RRAM无法提供满足更广泛市场所要求的数据保存、速度以及耐用度等能力。

　　
Eggleston说，MRAM较RRAM出色之处在于其多功能性，因为它的材料组成可在电极之间加以调整。“你可以为其进行调整，使其具有更好的数据保存能力，或是支援更快的写入速度与耐用性。”他并补充说，这种可调整的能力让Globalfoundries能在先进节点跨足eFlash的领域，也可以调整其速度，使其得以作为非挥发性快取，用于服器处理器与储存控制器中。

 

 

本文关键词：MRAM

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