存储器价格为什么居高不下？

　　
从需求面来看，虽然一些细分市场正在成长，但并未出现杀手级的应用或是特别繁荣的细分市场。因此，问题应该就出在供应面。

　　
美光(Micron)表示，2017年DRAM供给位元预计成长15-20%，可说是近20年来最低的位元成长率(bit growth)。如此低的位元成长率，主要是因为DRAM微缩限制。市场上有很长一段时间都没有任何有关DRAM微缩的消息了。当供给位元成长低于45%时，这时就是卖方的市场了。因此，DRAM的寡头垄断、低位元成长率，以及制造扩张迟缓，导致长期的供应吃紧。最终的局面可能就是DRAM的价格不断上涨，而供应面却不会有任何改变。

　　
                                              

                                             
                                             


NAND市场竞争非常激烈。基于3D NAND将大幅提高生产力的市场预期，所有的NAND厂商都投入了数十亿美元于3D NAND制造。因此，供应过剩估计会持续一段时间。但是，这种期待只是一种假象。3D NAND的制造比大家想像的要困难得多。目前，几家NAND供应商都得努力地推出3D NAND。

许多分析师预计，大约在2018年底，当64层和96层3D NAND快闪存储器的制造趋于成熟时，市场供应紧张的情况将会得到缓解。所以，明年将会有足够的NAND供应吗?如图所示，平面NAND的横向微缩(即摩尔定律)以2的N次幂方式呈指数级增加位元单元。相对地，3D NAND的单元层数(即垂直微缩)则线性增加位元单元。目前，根据摩尔定律，平面NAND符合位元单元的指数级需求成长。然而，平面NAND面对微缩限制，3D NAND仅以线性位元成长率，将难以达到市场的需求。

　　
综上所述的，存储器价格较高不再只是因为供需失衡。从现在开始，我们几乎不会看到存储器价格降下来，因为存储器价格如此居高不下，主要是因为存储器元件的微缩限制。


本文关键词：DRAM  存储器

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