ReRAM开始进入市场

富士通和松下正在联合加大研发力度，投入开发第二代 ReRAM 器件。另外，Crossbar 正在尝试生产一种 40nm ReRAM 技术，现在是由中国的中芯国际（SMIC）的晶圆厂代工生产。台积电（TSMC）和联电（UMC）也毫不示弱，最近也已经将 ReRAM 纳入了自己的发展计划中来，预计将在明年的时候为自己的客户开发这项技术。

多年以来，人们一直在吹嘘 ReRAM，说它是 NAND 等传统内存技术的替代者，但 ReRAM 的开发难度大到难以想象。并且，NAND 也比之前所预测的发展得更长久，以至于很多公司暂缓甚至放弃了ReRAM的 开发。

然而并不是所有芯片制造商都支持 ReRAM。GlobalFoundries 等一些公司对 ReRAM 技术就没有那么热衷，反而正在开发不同类型的下一代内存技术。

与闪存相比，ReRAM 的优势是读取延迟更低且写入速度更快。在传统内存中，数据以电荷的形式存储。在 ReRAM 中，会有一个电压被应用于一种堆叠的材料，继而导致电阻变化，这种变化可以在内存中记录数据（0 和 1）。

尽管ReRAM具备不少优良属性，但目前为止出货 ReRAM 的公司只有几家。其它公司还在克服困难、迎难而上，因为 ReRAM 技术在物理方面十分困难。而且在一些案例中，ReRAM 的性能和可靠性也没有达到人们的期待值。

ReRAM 不会取代 NAND 或其它内存，但它会找到合适的定位，尤其是在嵌入式内存应用领域。联电嵌入式非易失性内存助理副总裁 Yau Kae Sheu 说：“ReRAM 是一种针对成本敏感型应用的解决方案，比如可穿戴和物联网设备。ReRAM 很适合一些低端的 MCU 和内存密度要求更低的消费级产品。”

但对于未来应用，ReRAM 等一些下一代内存技术的目标是所谓的存储级内存（storage-class memory）市场。多年以来，内存行业一直在寻找一种新的内存类型，即存储级内存。这种内存可以用在系统的主内存（DRAM）和储存器（NAND 闪存）之间，填充这两者之间逐渐变大的延迟差距。

ReRAM 的另一个潜在应用是神经形态计算（neuromorphic computing）。神经形态计算使用了脑启发的计算功能，可用于实现人工智能和机器学习。但是，在 ReRAM 进军这些市场之前，内存行业必须要先小规模地掌控 ReRAM。

本文关键词：ReRAM   MCU

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