Crossbar ReRAM的优势
2017-10-16 17:02:30
到目前为止，还没有一个行之有效的NAND的替代技术，而Crossbar的ReRAM则有机会把握住这一市场价值超过400亿美元的机会。Crossbar还在研制中的ReRAM技术已经取得了显著的商业化进展，只要维持这个优势，他们将能够建立一个具有成本效益的、多层级的ReRAM市场，从而超越3D NAND等竞争对手。
Crossbar悄无声息地带来了一个全新的、极具吸引力的替代性存储器技术。他们解决方案的关键是将ReRAM内置于存储单元之中，不像其它ReRAM技术还需要一个单独的外部设备，这无疑会带来噪音等诸多问题。而这也就会显示出Crossbar方案的极大优势。钼CrossbarReRAM技术基于一个简单的结构，采用CMOS工艺常用的材料以及标准的制造工艺，无需任何特别的机器设备或者材料，就可以很容易地在现有的CMOS工厂进行制造。由于Crossbar ReRAM采用了低温后段制程工艺整合，所以多层Crossbar ReRAM阵列可以被整合到CMOS逻辑晶圆之上，从而创建出3D ReRAM存储芯片。
Crossbar ReRAM单元存储介质是包裹绝缘性非晶硅（a-Si）的金属丝，这与在闪存单元里电子存储的形式有很大不同，因为哪怕是少量的电子损耗都会引发可靠性问题，所以锁定电子就变成了一个艰巨的挑战。这也是为什么闪存的性能在较小的制程工艺尺寸上会有所降低的原因。而Crossbar ReRAM在不同尺寸上都不会影响设备的性能，并且有望被用于10纳米以下的尺寸。
CrossbarReRAM技术具有众多特性，可以实现多种全新的存储解决方案类别。Crossbar ReRAM单元的内置选择特性允许不同的内存阵列配置，一个晶体管可以驱动一个或者成千上万个内存单元，从而实现了针对不同目标应用的灵活设计：嵌入式代码存储的快速读取和处理器的直接执行，或者对存储数据的高密度、低延滞读取。
Crossbar ReRAM技术相较于NAND闪存能够将读取延滞降低到1/100，将写入速度提升20倍，而且还可以不受限制地对数据进行反复擦除。CrossbarReRAM技术可以以小页模式建构，可以被独立地擦除或者重新编程。通过移除无用单元回收所要求的大量后台内存读取，这种全新的存储架构大大简化了存储控制器的复杂度。该技术的写入放大率为1，从而为用户带来低的读写延滞、更低功耗以及存储解决方案更长生命周期的好处。
凭借这些突破性的性能和可靠性、超高的容量、低功耗以及针对多种存储架构的可调性，Crossbar将为消费电子、企业存储、移动计算、工业/汽车/医疗、物联网以及可穿戴设备应用带来一波新的创新。
本文关键词：
ReRAM 消费电子 物联网
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