美光建设新厂 研发全新技术
2017-10-25 14:32:05
此前，由于美光科技DRAM大厂台湾桃园厂区发生氮气泄露事件，导致5000至1万片的晶圆直接报废，4万片晶圆则被视为次级品或者报废品。美光迅速解决并恢复正常生产运作，对之后的产能并没有产生太大的影响。
8月14日，美光在总部举办活动庆祝新厂建设成功。据了解，这个工厂主要用于研发全新内存以及存储技术，美光技术开发执行副总裁ScottDeBoer表示，美光的主要DRAM技术研发中心已经转入其日本广岛的制造工厂，未来将加速研发3D NAND以及DRAM全新技术。
由于目前DRAM市场正处于涨潮阶段，美光预计2017年会计年度第四季营收同比增长91%，高达61.38亿美元，且对于2017年底营收的展望远超市场预期，预估为63亿美元左右。美光执行长SanjayMehrotra表示，美光1X纳米DRAM和64层3D NAND的良率将于今年年底达到稳定阶段，从产业目前情况来看，今年年底前，DRAM以及NAND Flash都将供不应求。
本文关键词：
DRAM
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