SK海力士强势出击
2017-10-26 14:21:17
在内存与存储器市场方面，SK海力士表现的非常“豪气”，直接出资86.1亿美元进行3D NAND Flash以及DRAM扩产，似乎是因为市场趋势一片大好，SK海力士将两厂扩产竣工的时间直接缩短至明年第四季度。
据了解，这次SK海力士扩产主要用于技术升级，产能最多提升3%-5%，相对于美光来说，这更像是一场新技术研发速度的比赛，毕竟美光刚建设新厂不久，两者建设新厂的目的似乎不谋而合。
在产品研发上，SK海力士于2017年年初推出全球高容量低功耗的DRAM–LPDDR4X芯片，并于4月再次推出AI、VR以及自动驾驶等显示器专用的超高绘图存储器DRAM–Graphics DDR6。
在NAND Flash 产品方面，美光成功开发出72层堆叠芯片，相比于上一代48层堆叠芯片，其运行速度提升2倍，读写性能提升了20%，生产效能也增长了30%，目前已经开始量产。
总结：
在NAND Flash以及DRAM市场涨潮不断的情况下，三星电子、美光科技以及SK海力士等三大巨头并未满足于现状，而是不断研发全新产品。在这场角逐中，或许他们三者都是赢家。
本文关键词：
NAND Flash DRAM
相关文章：
美光建设新厂 研发全新技术
深圳市英尚微电子有限公司，十年来专业致力代理分销存储器芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,为客人提供性价比更高的产品及方案。
了解更多关于存储芯片知识，请关注英尚微电子：https://www.sramsun.com
