NAND FLAS的扇区管理
2017-11-20 14:40:48
以镁光MT29F4G08BxB Nand Flash为例，这款Flash(如上图所示)以4个扇区(sector)组成1个页(page)，64个页(page)组成1个块(block)，4096个块(block)构成整个Flash存储器;由于每个扇区的容量是512 字节(bytes)，整个Flash容量为4224M Bit(相当于528M字节)，去掉备用区域用于存放ECC数据校验16M(虚线部分)，就是这个片子的容量512M字节。其他型号的Flash也是同样由扇区组成页、由页组成块、块组成整个存储设备，只是扇区、页、块的数量多少有区别而已。
在Flash的生产制造过程中，由于生产工艺的缺陷，很容易在Flash中产生不能使用的坏区域，如果在U盘中要使用这样的Flash，就必须使用所谓的“量产工具”;U盘量产工具其实就是一种集坏区域扫描和Flash管理系统装载于一身的工具。常规U盘主控的扫描是以块为单位，扫描即往每一个块里写入数据，然后将读出的数据与写入的数据比较，如果数据有误则把该块标为“坏块”。扫描完成后就是将Flash管理系统装载到Flash里面，Flash管理系统就会利用扫描产生的坏块表对整个Flash进行读写管理，这样就完成了整个量产动作，U盘也就可以正常使用了。所以U盘显示的容量与实际所用的Flash容量差异来源于不能存储信息的坏块和Flash管理系统的占用块。坏块越多，做出的U盘容量越低;而Flash管理系统占用的块是没有办法避免，就像我们的电脑安装操作系统要占用硬盘空间一样。
当然这里还涉及到一个ECC纠错能力的问题，假设对这个Flash进行扫描的定义的ECC纠错能力为1bit，只有数据出现超过1bit错误的块才会被标记为坏块。这个时候需要区分块纠错和扇区纠错的差别，假设任何一个块里有任何一个扇区(512bytes)存在超出1bit的错误，常规主控在扫描的时候就会判断整个块为坏区域，这样将损失整个块128Kbytes的容量;但是当使用扇区纠错的主控时，同样1bit ECC纠错，他会直接去判断这个块里哪些是超出1bit错误的扇区，从而将其剔除，损失的只是每个真正有错误扇区的512bytes容量，从而保留了其余没有错误的扇区，这样Flash的利用率可以得到极大的提高。
本文关键词：
Flash
相关文章：
详解单片机FLASH与RAM、ROM的关系
深圳市英尚微电子有限公司是一家专业的静态随机记忆体产品及方案提供商，十年来专业致力代理分销存储芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,为客人提供性价比更高的产品及方案。
英尚微电子中国区指定的授权代理：VTI、NETSOL、JSC济州半导体(EMLSI)、Everspin 、
IPUS、IPSILOG、ipus、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC； 著名半导体品牌的专业分销商 如：RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。
更多资讯关注SRAMSUN. www.sramsun.com 0755-66658299
