NAND Flash厂商现状分析
2017-11-22 15:12:00
集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)最新报告显示,受传统旺季、服务器、智能手机及数据中心对SSD需求拉升等因素影响,今年第三季度整体NAND Flash供需缺口较第二季扩大,但因价格已经历长时间连续调涨,导致价格已接近各OEM厂接受的上限,各产品线合约价在第三季增幅局限在0-6%。
观望第四季,各项终端需求除智能手机需求外,并没有特别突出的成长,加上64/72层3D-NAND纷纷投入量产,抢先应用于SSD产品线中,使得市场供需逐渐趋于平衡方向,各产品线价格呈现持平到小涨的趋势。预期各NAND Flash厂在价格仍处高点的情形下,第四季营收表现将可持续维持高档。预期2018年后,随着64/72层3D-NAND发展逐渐成熟,上半年进入淡季循环后,市场局势将变成供过于求。
SK海力士(SK Hynix)
第三季得益于传统旺季效应、iPhone 8/X新机以及中国品牌手机需求等主要动能带领,SK海力士整体位元出货量第三季增幅达16%,但在容量提高的趋势影响下,平均销售单价小幅下降3%,第三季SK海力士营收达到15亿美元,相较前一季成长高达15.4%。
观察未来产能规划,SK海力士继续专注在48/72层3D-NAND产能的扩张当中,并在第四季将72层3D-NAND导入量产,成为2018年的成长主力。
三星电子(Samsung)
三星在第三季受益于服务器端及智能手机厂商发布新旗舰机,对高容量应用的巨大需求,在位元出货量达双位数的成长,并使营业利益创下新高,营收更较前季增长19.5%达到56.2亿美元。
从制程及产能分析,三星64层NAND Flash自第三季开始量产以来,已经开始应用在移动终端需求及SSD上,并将逐渐扩大应用产品范围,预期整体3D-NAND的投片比重在年底将突破50%。值得关注的是,三星内部正在检讨NAND Flash持续扩张与DRAM产能分配的必要性,并计划将部分平泽厂二楼的空间用来 生产DRAM用,这将可能会让NAND Flash未来更容易回到供不应求的状况,有利于三星未来发展的市场策略。
东芝半导体(Toshiba)
第三季度在供需缺口持续扩大的影响下,东芝受益于智能手机需求跃升以及SSD搭载率提升的因素,并专注于苹果新机的供给上,位元出货量大大增加,虽然因产品配置的改变造成平均销售单价小幅下滑,东芝的营收仍较上季大幅成长18.1%,达到27.4亿美元的水平。
在制程技术上,在64层3D-NAND Flash正式于第三季量产后,东芝持续致力提升其良率及投产量,2017年底东芝的3D-NAND的投片比重将达整体投片的30%,预期2018年底上看50%。
西数(Western Digital)
第三季在传统旺季效应及NAND Flash市场持续处于缺货状态,使得西数在消费性装置十分畅销,另一方面,零售业务则受惠于收购SanDisk品牌的加持,并运用原有西数品牌产品线提供市场多元选择。但由于产品组合逐渐转往高容量,导致平均销售单价略微下滑,整体营收达25.2亿美元,季增8.9%。
从制程面观察,64层3D-NAND在与东芝的努力之下逐渐成熟,应用该制程NAND Flash的SSD已于第三季进入量产,并送交各大OEM厂进行测试,预计64层3D-NAND将陆续导入移动终端应用中。
美光(Micron)
受惠于高速增长的SSD、移动终端等需求,加上市场持续供不应求,因此NAND Flash相关产品营收达18.4亿美元,本季增长7.7%。在制程技术上,美光与英特尔合资公司(IMF)投入大量心力在3D-NAND的研发及应用,在32层3D-NAND产出良率已相当成熟,64层3D-NAND也已投入量产并稳定提升良率。
英特尔(Intel)
在企业级SSD需求持续的带动下,英特尔第三季度的营收达到8.9亿美元,相较上一季小幅成长2%,在产品配置几乎不变的情况下,平均销售单价大致持平,位元出货量则呈现小幅成长,整体产品线已转为3D-NAND为主。
在产品规划上,英特尔的发展依旧以SSD为主,并占其90%以上比重,3D-XPoint相关应用由于才刚起步,且价格仍处高点,采用者仍然不多,未来仍需观察其价格走势及美光的相关应用是否可以顺利推出,才有机会获得更多OEM客户采用。而企业级SSD部分,在客户陆续转往Purley平台后,PCIe接口转趋主流,英特尔并率先在企业级SSD中导入64层3D-NAND,且持续透过与客户签订长期合约保障未来营收成长。
本文关键词:
NAND Flash DRAM
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