全球晶圆代工大厂研发MRAM替代 NOR Flash

　　
据SemiEngineering网站报导，三星(Samsung)、GlobalFoundries、台积电(TSMC)和联电(UMC)计划在2017年下半年开始供应ST-MRAM或STT-MRAM，替代NOR Flash，因此存储市场发生巨大转变，到目前为止，只有Everspin已经为各种应用提供MRAM，例如电池供电的SRAM替代品、读写缓存(WriteCache)等。

　　
STT-MRAM的下一个好机遇就是嵌入式记忆体IP市场，NOR Flash是传统嵌入式记忆体，随着制程从40nm进展到28nm，NOR Flash现在开始出现许多问题，因此，这些代工厂的支持可以将STT-MRAM转变为先进节点的替代技术。

GlobalFoundries嵌入式记忆体副总裁DaveEggleston表示，嵌入式快闪记忆体会继续作为资料保存技术主流，特别是在汽车和安全应用领域，嵌入式快闪记忆体使用寿命特别长，但没有扩展空间，当达到28nm制程以上时，嵌入式快闪记忆体实际上价格是最高的。　　

因此，业界急需一个新的解决方案，STT-MRAM恰好为2xnm及以上的嵌入式记忆体应用做好准备。先作为补充技术，进一步替代嵌入式DRAM和SRAM，这也是MRAM的好机会，将为处理器添加持久性功能。

MRAM可能会因为几个综合因素而成为一个大市场或利基解决方案，包括多个供应商和一系列的应用推动STT-MRAM快速发展，此外，主要代工厂投入STT-MRAM也可能会推动规模经济化，降低技术成本。

　　
还有一个问题是，并不是所有晶圆代工客户都需要22nm以上的晶片，此外，STT-MRAM是一种相对较新的技术，客户可能需要花点时间去了解、整合，各种制造上的挑战也必须解决。但是，4大代工厂都已经决定为嵌入式客户投入开发作业，三星有自己的IP，其他代工厂正在与各种合作伙伴合作。

　　
除了Everspin和代工厂之外，美光(Micron)、英特尔(Intel)和东芝与SK海力士都投入MRAM研发，同时，几家新创公司如Avalanche、Crocus、SpinTransferTechnologies也都正在开发。对大多数企业而言，生产MRAM还是比较困难的，因为MRAM涉及集成方案、开发新材料设备，与传统记忆体相比，生产流程也不同。

　　
在晶圆厂的进展中，STT-MRAM目前有2个用例，第一个是替换嵌入式快闪记忆体，另一个是嵌入式SRAM，业界一致认为，STT-MRAM是一个很好的嵌入式解决方案。多年来，业界一直在致力于研究STT-MRAM的发展，最终目标是取代DRAM，目前阶段还在努力探索中。

　　
而STT-MRAM仍然需要确保它可以在汽车的高温下满足可靠性和资料储存规格。在微控制器(MCU)市场的嵌入式记忆体需求也在不断增加，如NOR Flash用于代码储存和其他功能。MCU制程从40nm进展到28nm，NOR Flash也是，然而，在2xnm节点，NOR Flash开始凸显写入速度慢和耐久性问题，而且因为需要更多光罩步骤以至于成本更高。

　　
超过28nm以后，NOR Flash就难以扩展，所以人们正在积极寻找替代品，但是用新的记忆体类型替换NOR Flash不是一项简单的事，新型记忆体类型的成长关键要求是可靠性、性能、密度和成本。

　　
现在，STT-MRAM似乎已经在2xnm节点的嵌入式市场准备就绪，其他记忆体类型仍然停留在研发阶段。报导指出，随着产业正在开发STT-MRAM，同时也专注准备MRAM研发，包括SOT-MRAM磁记忆体，将作为基于SRAM技术的缓存替代品。

 

 

本文关键词：晶圆    MRAM   NOR Flash

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