三星欲垄断DRAM和NAND闪存市场

　　
三星在DRAM和闪存市场占有半壁江山，计划明年将其在生产方面的资本支出预算增加1.5倍，提高至260亿美元。相比之下，英特尔在2017年的资本支出预算120亿美元就显得有点少了，较2016年增长了25%。事实上，三星的预算是2017年三家大公司英特尔、台积电和SK海力士的资本支出预算的总和。

　　
三星的主要竞争对手现在面临着一个艰难的选择。它们要么提高资本支出预算，保障足够的供应量，从而保障一定的市场份额，要么干脆放弃竞争，因为三星更高的产能将会产生别人难以企及的规模经济效应。

　　
任何想要追赶三星的公司都面临着整个行业供给过剩、价格下滑以及亏损扩大的问题。半导体工厂必须全负荷运行，才能维持最低的成本，只要价格能够支付各种可变开支和固定成本，那就值得继续维持工厂运转。

　　
但是，如果它们不增加预算，提高产能，那么它们就可能面临市场份额萎缩、成本增加并最终被淘汰出局的结果。不要指望英特尔和镁光的合资企业能够对抗三星。英特尔几十年前就退出了DRAM市场。

　　
英特尔和镁光依靠其3D XPoint NVRAM(非易失性闪存)可能能够在DRAM和闪存市场上占有一席之地。但是，这一希望注定落空，因为它们决定将3D XPoint捆绑到英特尔CPU上。此外，三星可以从Crossbar或Nantero公司那里购买或获得授权使用与NVRAM竞争的技术。

　　
对于消费者来说，一个利好的消息是：在未来12-18个月内，我们应该会看到更便宜的DRAM和NAND闪存出现。但是，从长远来看，我们可能会看到三星垄断DRAM和NAND闪存生产，减缓价格下降速度以及遏制竞争。


本文关键词：DRAM   NAND闪存

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