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明年DRAM Q1供货仍吃紧

2017-12-19 15:51:18

今年DRAM市场成长迅速,南亚科技预期2017年第四季及2018年第一季供货将持续吃紧,DRAM平均销售单价走势稳健;展望2018,预期明年整体DRAM市场供需均衡且健康,市场将持续维持稳健。
  
随着人工智能、智能汽车、物联网、高速运算等应用,促进半导体产业更多元发展,DRAM成为电子产品的关键组件,带动今年内存市场强劲成长逾50%。
  
展望2018年,南亚科预期DRAM资本支出主要用于先进制程转换及维持原有月产能,DRAM位年成长率在20%~25%,预估2018年需求将较2017年成长23%,预期2018年DRAM市场将持续维持稳健的态势。
  
2017年全球半导体市场预计大幅成长20%,规模达4,111亿美元,内存市场年成长更高达57%,规模达1,260亿美元,2017年内存市场营收占半导体市场31%。
  
内存市场于2017年突破1200亿美元规模,预估2017年DRAM市场成长率67%,产值685亿美元,预估2017年NAND Flash市场成长率51%,产值535亿美元,DRAM加NAND占内存市场总产值97%。
  
就内存产业资本支出来看,NAND资本支出持续大幅提升,以作为扩充3D NAND产能所需,相对而言,DRAM资本支出主要用于先进制程转换及维持原有月产能;南亚科预估,2018年DRAM位年成长率20%~25%, 2018年下半起将有新增DRAM产能投入量产,NAND位年成长率则达40%~45% ;预估2018年全球DRAM平均月产能将由2017年113.3万片微幅提升至2018年121万片,预期2018年DRAM市场供需均衡且健康。


本文关键词:NAND Flash 

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