DRAM明年第一季再涨5%

业界解读，三星、海力士下季涨价态度坚决，等于告诉全球半导体市场，韩系大厂决定保持DRAM价格稳定不降的决心，消除外界认为两大韩厂打算调降售价格，防止中国DRAM竞争对手的流言蜚语。

手机中国联盟秘书长王艳辉认为，有人说三星疯狂扩产存储器是为了将中国存储器产业扼杀在萌芽，这未免有点太看得起自己了，虽然明年大陆存储器产业开始进入试产阶段，但是要与三星、海力士抗衡，至少还要耗费三到五年的时间，中国存储器产业要崛起起码需要五到十年的时间，现在还处于交学费阶段。

台湾DRAM相关厂商透露，三星、SK海力士陆续通知代理商明年首季调涨DRAM售价，由于二大韩系厂全球DRAM份额总计近八成，在几乎垄断整个市场的情况下，下游厂商只能接受涨价。 这波涨价让DRAM成为明年获利最稳定的电子零组件代表。

业界人士分析，DRAM供不应求的原因，除了来自车用、人工智能、云端服务器、物联网、笔记本电脑和移动设备等需求齐发，需求瞬间大增，但主要芯片厂大多数在集中发展3D NAND Flash，压缩DRAM产能增幅，在需求大增、供给增加有限下，市场供需严重失衡。

由于市场需求太强劲， DRAM价格从去年下半年以来每季都调涨，加计下季持续涨价，报价连续七季上涨，堪称DRAM史上时间最长的多头行情。

业界分析，三星与SK海力士在明年淡季持续调涨售价，反而无意打破目前DRAM供不应求、获利稳定的情况，也将藉由DRAM的获利，作为未来在3D NAND Flash发动价格战的主要凭借， 并消除外市场买盘观察的预期心理。

本文关键词：DRAM  NAND Flash

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