发改委约谈三星 抑制DRAM再度涨价
2018-02-06 14:30:33
集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)指出，因为内存价格持续出现超过6个季度的上涨，导致多家中国智能手机品牌厂不堪成本压力，因此在去年年底，国家发改委约谈三星半导体，因此第一季行动式内存的涨幅有所放缓。据了解，韩国政府近日将携三星电子与国家发改委签署备忘录，内容将包括在半导体领域的相关合作，其中包含扩大在中国投资以及技术合作的可能性。
近年来，中国成为内存产品的最大出海口，不管是国内需求或是外销，透过中国所购买的内存比重持续增加，对于中国市场情绪的变化，三星必须给予尊重及反应。因此，DRAMeXchange研究协理吴雅婷指出，此次事件将可能对未来内存产业产生以下两种影响：
一、DRAM虽仍呈供货吃紧状态，但未来涨幅将受抑制
从DRAM领域来看，现在供货商在生产行动式内存的获利远低于其他类别产品，而受到第一季智能手机市场低迷需求的影响，再加上国家发改委的干预，预期未来价格涨幅将会更加受到控制。预计未来，供货商预期会持续将现有的产能从行动式内存转向更高毛利产品，造成其他类别产品的价格涨幅也进一步收敛。
二、供货商为避免价格涨幅过高，新增产能的可能性增加
其次，在NAND Flash领域，2018年由于3D NAND Flash的比重持续提高，因此供货吃紧的状态较去年大幅改善。然而，观察DRAM供给，因为现在并未有新增产能贡献位元产出，所有2018年仍会处于供不应求状态。DRAMeXchange分析，为解决中国方面对于内存价格持续上涨所表达的强烈不满，对供货商而言，在涨价受到抑制、成本下降不易的考虑下，新增产能的可能性与时程皆可能转趋积极，透过增加产能来贡献位元产出不仅可以维持价格稳定，也希望藉此维持该企业在DRAM产品的获利水平。
本文关键词：
DRAM NAND Flash
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