存储器国产化有三大难关
2018-04-02 14:32:46
中国已有三家存储企业正式向存储器芯片制造发起挑战，分别是武汉长江存储的32层3DNAND闪存、福建晋华的32纳米DRAM利基型产品，以及合肥长鑫(睿力)的19纳米DRAM。三家企业都宣布在2018年年底前将实现试产，开通生产线。如果再算上紫光分别在南京和成都刚宣布再建两个存储器基地，总共有5处。对于中国上马存储器制造，可能会面临三个主要难题：技术、成本与价格、专利。
从态势分析，关于首个难关，突破技术难点，成功试产，对于中国存储器厂商可能都不是问题，显然2018年相比2017年的投资压力会增大。
预计最困难的是第二个难关，产能爬坡，进入比拼产品成本与价格的阶段。这两者关联在一起、相得益彰，当成本增大时，产能爬坡的速率一定会变慢，很难立刻扩充至5万到10万片。因为与对手相比，在通线时我们的产能只有5000至1万片，对手已超过10万片，且其成品率近90%，而我们的成品率只有70%~80%。由此可看出成本差异非常明显，因此，这就要看我们的企业从资金方面能够忍受多长时间的亏损。因此中国存储器业最艰难的时刻应该在2019年或者之后。
第三个难关是专利纠纷，中国做DRAM怎么能不踩专利的“红线”，并且无法预测到对手会如何出招，这是中国半导体业发展过程中必须付出的代价。所以各大厂商从现在开始就要准备专利方面的律师及材料，迎接战斗。中国半导体业一定要重视知识产权保护，这是迈向全球化的必经之路。
国产存储器想要实现真正逆袭，还是面临许多各种各样的挑战，一个是技术差距，另一个是制作水平的薄弱。2018将成为中国存储器发展的关键年，希望在强有力的政策支持下，加上国内厂商的不懈努力，中国存储器能在不久的将来真正引领世界。
本文关键词：
DRAM
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