Everspin推出的第一款STT-MRAM
2018-05-03 11:25:38
Everspin最新的MRAM技术是利用自旋扭矩传输特性，即利用极化电流来控制电子的自旋，从而建立自由层的所需磁状态，从而对存储器阵列中的位进行编程或写入。
与Toggle MRAM相比，自旋转矩MRAM或
STT-MRAM可显着降低开关能量，并具有高度可扩展性，可实现更高密度的存储器产品。我们的第三代MRAM技术使用垂直MTJ。我们开发了具有高垂直磁各向异性的材料和垂直MTJ堆叠设计，可提供长数据保持率，小单元尺寸，更高密度，高耐用性和低功耗。
Everspin推出的第一款STT-MRAM产品采用ST-DDR3，这是一种类似JEDEC的DDR3接口，并需要进行一些修改以充分利用MRAM技术的持久性。这些产品的性能如同持久性DRAM，但无需刷新。其他产品计划将利用高速串行接口用于各种嵌入式应用。
本文关键词：
STT-MRAM
相关文章：
Everspin并行接口MRAM
深圳市英尚微电子有限公司是一家专业的静态随机记忆体产品及方案提供商，十年来专业致力代理分销存储芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,为客人提供性价比更高的产品及方案。
英尚微电子中国区指定的授权代理：VTI、NETSOL、JSC济州半导体(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC； 著名半导体品牌的专业分销商 如：RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。
更多资讯关注SRAMSUN. www.sramsun.com 0755-66658299
