近年来，随着我国国民经济和科技水平的快速发展，以及受益于全球电子产业链过去几年快速向国内转移，全球存储芯片产品需求也快速向国内转移。数据存储的需求量不断增加。目前市场需求量最大的FLASH存储芯片已处于严重缺货状态，尤其是8Mb的容量。在业界看来，此轮NAND Flash的缺货主要在于两方面的原因：一方面是上游芯片厂持续将产能移转生产3D NAND，导致2D架构NAND Flash产出量下滑；另一方面是，移动智能设备和网络数据中心、服务器存储需求持续快速增长，尤其是智能型手机/平板搭载eMMC和客户端/服务器用SSD需求翻倍增加，持续消耗大量NAND Flash产能。深究原因，主要是受FLASH芯片的市场需求量影响，厂商们预计的产量远远低于市场需求， FLASH芯片紧缺，导致价格上浮。而今天所谈到的是存储器的其中一种，
SRAM（Static Random Access Memory），即静态随机存取存储器。它是一种具有静止存取功能的内存，不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。SRAM其实是一种非常重要的存储器，它的用途广泛，
SRAM主要应用于需要缓存比较小或对功耗有要求的系统。
SRAM的速度非常快，在快速读取和刷新时能够保持数据完整性。SRAM内部采用的是双稳态电路的形式来存储数据，所以SRAM的电路结构非常复杂。
今天就是通过对SRAM选型参数的介绍来为产品匹配更好的存储器
首先是在SRAM的选型上，主要看以下几个参数
1.存储器SRAM容量
SRAM 容量是衡量 SRAM存储数据的能力大小.
1.1常用的单位有：bit(位),Byte(字节). 两者的换算关系：1Byte=8bit
1.2常用的容量数值简写有：K（Kilo）,M(Mega),G(Giga).
它们间的换算:1M=1024K,1G=1024M
容量常用的一般是1Mb、 2Mb、4Mb、8Mb。看设计要求，一般想stm32外扩SRAM有写用到两个16Mb，这都是看数据量的需求。
2.电压(Voltage)
常用的电压有 1.8V,3.3V,5.0V,有的品牌支持宽电压范围如:1.8~3.3V,3.3~5.0V
3.速度（Speed）
3.速度（Speed）
这个参数是衡量 SRAM 产品的反应速度快慢，常用 ns(纳秒)及 MHz(兆赫兹)作为单位。
纳秒与兆赫兹换算关系是：ns=1/MHz*1000,MHz=1/ns*1000
JSC(EMLSI)的 SRAM 速度一般是 55ns,也是最常用的。其次也有 45ns,和 70ns 的。
我司目前代理的品牌一般都是70ns/55ns/45ns.而大部分的客户都是选用55ns的比较多，
在速度上55ns基本上够用，
4. 位宽（Data Bus Width）
此参数表示 SRAM 在瞬间最大的数据吞吐量。数值越大，数据吞吐量就大，单位是 bit
（位）。SRAM 一般分为 8 位宽,和 16 位宽。
5. 待机电流（Standby Current）
表示 SRAM 在待机时的电流值。针对一些客人需要加锂电池为 SRAM 供电的应用，就比较关注此参数，此参数越小越好。数值越小 SRAM 功耗就越低，锂电池的供电时间就会越长。常用单位是 uA(微安)。
6. 封装（Package）
表示 SRAM 产品所采用的封装外形及尺寸规格。SRAM 常用的封装有 SOP，TSOP 和 BGA
7.Pin 脚定义（Pin Configuration）
用于确定 SRAM 产品每个 Pin 脚的功能。当我们去取代竞争对手产品时，确认以上参数
相符后，必须再确认 pin 脚的定义是不是也相符。
到了最后这一点基本上已经完成了对SRAM选型，目前我司代理的品牌可以说在品质和价格上不输给Lyontek,Cypress,ISSI，
